[发明专利]用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法在审
| 申请号： | 201910475260.7 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110238705A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | D.丹加;K.莫根博格;W.沃德;D.马特加 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C09G1/02;C09K3/14;H01L21/3105;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法。该方法用于抛光包括二氧化硅、氮化硅、和多晶硅的基材。该方法包括用CMP组合物研磨该基材的表面以从其移除至少一些二氧化硅、氮化硅、和多晶硅。该CMP组合物包括悬浮在具有3至9.5的pH且含有阳离子聚合物的含水载体中的粒状二氧化铈研磨剂；其中该阳离子聚合物由甲基丙烯酰氧烷基季铵聚合物组成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅 化学机械抛光 阳离子聚合物 多晶硅材料 二氧化硅 多晶硅 氧化硅 基材 甲基丙烯酰氧烷基 季铵聚合物 二氧化铈 含水载体 研磨 研磨剂 抛光 移除 悬浮 | ||
【主权项】：
1.用于抛光包括二氧化硅、氮化硅、和多晶硅的基材的化学机械抛光(CMP)方法，所述方法包括用CMP组合物研磨所述基材的表面以从其移除至少一些二氧化硅、氮化硅和多晶硅；所述CMP组合物包括悬浮在具有3至5的pH且含有唯一的阳离子聚合物的含水载体中的粒状二氧化铈研磨剂；其中所述唯一的阳离子聚合物由甲基丙烯酰氧烷基季铵聚合物组成；其中二氧化铈研磨剂以0.1至2重量％(wt％)的浓度存在于所述CMP组合物中，所述甲基丙烯酰氧烷基季铵聚合物具有在10000‑25000范围内的分子量并且以20至200百万分率(ppm)的浓度存在于所述CMP组合物中；其中所述含水载体进一步含有50‑2000ppm硝酸铵；和其中所述二氧化硅、氮化硅和多晶硅被非选择性地移除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉柏微电子材料股份公司，未经嘉柏微电子材料股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910475260.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
