[发明专利]处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201910475932.4 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110581050A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 田端雅弘;久松亨;户村幕树;熊仓翔;笹川大成 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。 | ||
| 搜索关键词： | 处理容器 被处理体 前体层 吹扫 等离子体处理装置 等离子体气相沉积 等离子体 原子层沉积 表面形成 反复执行 控制性能 前体气体 改性 前体 暴露 配置 | ||
【主权项】：
1.一种被处理体的处理方法，其特征在于，包括：/n向处理容器内提供被处理体的步骤；/n在所述被处理体的表面通过等离子体化学气相沉积有选择地形成第一膜的第一步骤；和/n在不存在所述第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910475932.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法
- 下一篇：用于处理基板的装置和方法
