[发明专利]蚀刻装置及蚀刻装置的工作方法有效
| 申请号： | 201910476381.3 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110067029B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 宮尾秀一 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B15/00;C30B29/06;B08B3/08;B08B3/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;蔡丽 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅制备设备领域，尤其涉及蚀刻装置及蚀刻装置的工作方法。所述蚀刻装置，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽的侧壁的下部设置有蚀刻液出口，所述蚀刻槽的侧壁的上部设置有蚀刻液入口；所述蚀刻槽的底部设置有第一阀门；硅块收纳容器，所述硅块收纳容器设置于所述蚀刻槽内；设置在所述硅块收纳容器与所述蚀刻槽底部之间的筛网；所述硅块收纳容器与所述筛网之间的空间用于硅块下落；碎片捕捉器；第一管路；所述第一管路上设置有第二阀门；可监测冲程往返时间的泵；第二管路；以及第三管路。本发明有效减少原料硅块在阀门、配管及泵处的堵塞机率，提高清洗装置的简便性及安全性，从而达到提高生产效率，节约成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 工作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻装置，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽的侧壁的下部设置有蚀刻液出口，所述蚀刻槽的侧壁的上部设置有蚀刻液入口；所述蚀刻槽的底部设置有第一阀门；硅块收纳容器，所述硅块收纳容器设置于所述蚀刻槽内，其特征在于，还包括：设置在所述硅块收纳容器与所述蚀刻槽底部之间的筛网；所述硅块收纳容器与所述筛网之间的空间用于硅块下落；碎片捕捉器；第一管路，用于从所述蚀刻槽输送蚀刻液至所述碎片捕捉器；所述第一管路上设置有第二阀门；可监测冲程往返时间的泵；第二管路，用于从所述碎片捕捉器输送蚀刻液至所述泵；以及第三管路，用于从所述泵输送蚀刻液至所述蚀刻槽。
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