[发明专利]测量范围可调的巨磁电阻传感器及其制备方法

摘要

测量范围可调的巨磁电阻传感器，包括基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明利用磁电复合材料中磁各向异性场的电场调控效应，首次实现了使用电场对巨磁电阻结构中自由层的磁化方向的调节，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化等优点。并首次将此原理应用于巨磁电阻传感器中，实现了巨磁电阻传感器线性输出范围的大幅提高和连续调节。测量范围可调的巨磁电阻传感器可用于车载电子、物联网和可穿戴设备等微型磁传感器芯片。

主权项

1.测量范围可调的巨磁电阻传感器，其特征在于，包括基底、巨磁电阻结构和导电层(9)；巨磁电阻结构和导电层(9)均设置在基底上表面，且导电层(9)设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层(4)、第二缓冲层(10)、钉扎层(5)、隔离层(7)和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层(6)和自由层(8)；第一缓冲层(4)设置在基底上表面，第一缓冲层(4)上自下而上依次设置钉扎层(5)、被钉扎层(6)、隔离层(7)、自由层(8)和第二缓冲层(10)，形成巨磁电阻结构。