[发明专利]薄型基板的制造方法在审
申请号: | 201910477503.0 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN110556329A | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 田边正人;菅生道博 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C08G77/44 |
代理公司: | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供使用了用于将应加工背面的基板临时粘合至支撑体的基板加工用临时粘合膜的薄型基板的制造方法,其特征在于,所述临时粘合膜含有重均分子量为3,000~500,000的含硅氧烷键聚合物10质量%以上100质量%以下,其同时包括:(a)在基板的不是应加工面的表面或支撑体的至少任意一个面上层压所述临时粘合膜的工序;(b)在减压下进行接合的工序;(c)进行磨削或研磨来处理基板的工序;(d)使用酸或碱处理基板的工序;(e)实施其他加工的工序;(f)将实施了加工的基板从支撑体剥离的工序;(g)清洗基板的工序。由此,提供基板与支撑体的临时粘合容易且可酸、碱处理,与支撑体的剥离也容易的薄型基板的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 临时粘合 基板 支撑体 薄型基板 碱处理 加工 支撑体剥离 重均分子量 处理基板 含硅氧烷 基板加工 清洗基板 聚合物 减压 接合 研磨 磨削 制造 剥离 上层 | ||
【主权项】:
1.一种薄型基板的制造方法,其中,使用了用于将应加工背面的基板临时粘合至支撑体的基板加工用临时粘合膜,其特征在于,/n所述基板加工用临时粘合膜相对于100质量份的总质量,含有10质量份以上100质量份以下的、重均分子量为3,000~500,000的含硅氧烷键的聚合物,/n所述薄型基板的制造方法包括全部下述(a)~(g)工序:/n(a)在所述基板的不是应加工面的表面或所述支撑体的至少任意一个面上层压所述基板加工用临时粘合膜的工序;/n(b)经由在工序(a)中层压的基板加工用临时粘合膜,在减压下将所述基板与所述支撑体接合的工序;/n(c)磨削或研磨所述基板的应加工面从而处理基板的工序;/n(d)对所述基板的应加工面使用酸或碱从而处理基板的工序;/n(e)对所述基板的应加工面实施除磨削、研磨、酸处理、碱处理以外的加工的工序;/n(f)将实施了该加工的所述基板从所述支撑体剥离的工序;/n(g)清洗所述基板的工序。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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