[发明专利]NiO氧化物半导体二甲苯传感器及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 201910477594.8 申请日: 2019-06-03
公开(公告)号: CN110082398A 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 王庆吉;李朝阳;赵昱博;刘泽轩 申请(专利权)人: 海南大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 藏斌;赵青朵
地址: 570228 海南*** 国省代码: 海南;46
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摘要: 发明属于气体传感器领域,具体涉及一种NiO氧化物半导体二甲苯传感器及其制备方法与应用。本发明提供的NiO氧化物半导体二甲苯传感器包括:外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al2O3陶瓷管,连接在每个所述环形Au电极上的铂丝,涂覆在所述Al2O3陶瓷管外表面和环形Au电极上的半导体氧化物敏感材料,和置于所述Al2O3陶瓷管内的镍镉合金线圈,所述半导体氧化物敏感材料为多孔花状的NiO。本发明以多孔花状的NiO作为传感器的敏感材料,用该敏感材料制得的气体传感器具有对二甲苯广泛的检测范围以及低检测下限(5ppm),在检测环境中二甲苯污染物方面有广阔的应用前景。
搜索关键词: 敏感材料 二甲苯 传感器 氧化物半导体 半导体氧化物 气体传感器 花状 制备 应用 低检测下限 对二甲苯 镍镉合金 外表面套 检测 铂丝 涂覆 分隔 平行 污染物
【主权项】:
1.一种NiO氧化物半导体二甲苯传感器,包括:外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al2O3陶瓷管,连接在每个所述环形Au电极上的铂丝,涂覆在所述Al2O3陶瓷管外表面和环形Au电极上的半导体氧化物敏感材料,和置于所述Al2O3陶瓷管内的镍镉合金线圈,其特征在于,所述半导体氧化物敏感材料为多孔花状的NiO。
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