[发明专利]半导体键合封装方法在审
| 申请号： | 201910477613.7 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110364445A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈波 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 周颖颖 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体键合封装方法，包括：提供中介板，中介板具有相背的第一面和第二面，第一面上设有多个金属凸块，第二面上设有多个焊料凸块；提供载板，将中介板的第二面键合至载板的正面；在第一面上形成图案化的光刻胶层，光刻胶层具有裸露出金属凸块顶端的开口部；在光刻胶层上倒装芯片，通过热压键合法将芯片的功能凸点与中介板的金属凸块键合连接；在光刻胶层的上方形成塑封层，塑封层包覆芯片。该申请通过热压键合将芯片倒装连接中介板，具有开口部的光刻胶层可有效避免焊料溢出、避免功能凸点与功能凸点之间焊料桥接的问题、避免芯片底部的填充出现空洞问题以及避免虚焊的问题，有效提高良品率和封装效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 中介板 金属凸块 键合 凸点 第二面 开口部 塑封层 载板 封装 半导体 芯片 焊料 包覆芯片 倒装芯片 封装效率 焊料桥接 焊料凸块 键合连接 热压键合 芯片倒装 良品率 图案化 热压 相背 虚焊 申请 填充 溢出 空洞 合法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体键合封装方法，其特征在于，包括：提供中介板，所述中介板具有相背的第一面和第二面，所述第一面上设有多个金属凸块，所述第二面上设有多个焊料凸块；提供载板，将所述中介板的第二面键合至所述载板的正面；在所述第一面上形成图案化的光刻胶层，所述光刻胶层具有裸露出所述金属凸块顶端的开口部；在所述光刻胶层上倒装芯片，通过热压键合法将所述芯片的功能凸点与所述中介板的金属凸块键合连接；在所述光刻胶层的上方形成所述塑封层，所述塑封层包覆所述芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州通富超威半导体有限公司，未经苏州通富超威半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910477613.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三面附金属包封封装结构及其制备方法
- 下一篇：一种塑封光电耦合器的制造装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
