[发明专利]一种闪存器件的制备方法有效
| 申请号： | 201910477874.9 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110246759B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王辉;龙俊舟;侯多源 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体的制造技术领域，尤其涉及一种闪存器件的制备方法，包括：步骤S1，提供具有栅极结构的半导体结构，于栅极结构的两侧形成侧墙结构；步骤S2，于侧墙结构的外表面沉积一具有拉伸应力的隔绝层；步骤S3，于隔绝层的表面覆盖一层间介质层。本发明技术方案的有益效果在于：通过调整隔绝层的应力，提高电荷的迁移率，破坏等离子体在区域内产生的非平衡电场，能够有效地降低等离子体对栅极氧化层的损伤，从而提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：提供具有栅极结构的半导体结构，于所述栅极结构的两侧形成侧墙结构；于所述侧墙结构的外表面沉积一具有拉伸应力的隔绝层；于所述隔绝层的表面覆盖一层间介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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