[发明专利]一种硅片的处理方法、检测方法及处理装置有效
| 申请号： | 201910477898.4 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110187061B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张婉婉;文英熙;柳清超 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片的处理方法、检测方法及处理装置，处理方法包括：将硝酸铜溶液雾化成雾化气喷洒在待处理的硅片的表面；对硅片的表面进行干燥；将干燥后的硅片进行热处理，以在硅片的表面上的缺陷位置形成缀饰。根据本发明的硅片的处理方法，将硝酸铜溶液雾化成雾化气喷洒在待处理的硅片的表面，对硅片的表面进行干燥，将干燥后的硅片进行热处理，以在硅片的表面上的缺陷位置形成缀饰，通过上述方法能够大大提高金属缀饰的均匀性，以及可以有效控制金属污染的计量；并且仅使用微量的金属溶液，避免浪费和重金属污染；另外该放方法避免了人员的直接接触，安全性提高；且硅片表面易于干燥，铜分布均匀，提高硅片表面缺陷观察检测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 处理 方法 检测 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅片的处理方法，其特征在于，包括：将硝酸铜溶液雾化成雾化气喷洒在待处理的硅片的表面；对所述硅片的表面进行干燥；将干燥后的所述硅片进行热处理，以在所述硅片的表面上的缺陷位置形成缀饰。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910477898.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
