[发明专利]一种纵向双腔原子气室及其制备方法有效
| 申请号： | 201910479043.5 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110329989B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 夏敦柱;葛飞;李锦辉;金伟明 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纵向双腔原子气室及其制备方法，由玻璃、硅片、玻璃依次键合而成；所述原子气室包括设在上层玻璃和硅片之间的上层气室，与上层气室相连通、刻蚀在硅片上的用于吹制上层气室的凹槽，刻蚀在下层玻璃上的反应室，与凹槽、反应室向连通的过滤通道；所述凹槽的深度小于硅片的厚度；过滤通道包括刻蚀在硅片上的第一通道。本发明在化学反应填充技术的基础上设计了上检测下反应的纵向双气腔结构，在保留定量配比的同时，纵向结构优化了气室占地空间大小；纵向的结构也会使得重力限制生成的杂质向上层检测气室流通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 原子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纵向双腔原子气室，其特征在于：由玻璃、硅片、玻璃依次键合而成；所述原子气室包括设在上层玻璃和硅片之间的上层气室(1)，与上层气室(1)相连通、刻蚀在硅片上的用于吹制上层气室(1)的凹槽，刻蚀在下层玻璃上的反应室(4)，与凹槽、反应室(4)相连通的过滤通道；所述凹槽的深度小于硅片的厚度；所述过滤通道包括刻蚀在硅片上的第一通道(2)。
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