[发明专利]带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法有效
申请号: | 201910480018.9 | 申请日: | 2019-06-04 |
公开(公告)号: | CN110571116B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 东矢高尚;森田博文;小笠原宗博 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/145 | 分类号: | H01J37/145;H01J37/317 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法。本实施方式的带电粒子束描绘装置具备:发射部,发射带电粒子束;第1光圈,对上述带电粒子束进行成形;照明透镜,将上述带电粒子束照射到上述第1光圈;第2光圈,对透过了上述第1光圈之后的带电粒子束进行成形;投影透镜,将透过了上述第1光圈之后的带电粒子束投影到上述第2光圈;物镜,是对透过了上述第2光圈之后的带电粒子束进行对焦的磁场型透镜;以及静电透镜,与作为描绘对象的基板的表面高度相匹配地进行带电粒子束的焦点修正,上述静电透镜配置在上述物镜内,向该静电透镜的电极施加正电压,该电极上端的该物镜的磁场强度为规定值以下。 | ||
搜索关键词: | 带电 粒子束 描绘 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种带电粒子束描绘装置,具备:/n发射部,发射带电粒子束;/n第1光圈,对上述带电粒子束进行成形;/n照明透镜,将上述带电粒子束照射到上述第1光圈;/n第2光圈,对透过了上述第1光圈之后的带电粒子束进行成形;/n投影透镜,将透过了上述第1光圈之后的带电粒子束投影到上述第2光圈;/n物镜,是对透过了上述第2光圈之后的带电粒子束进行对焦的磁场型透镜;以及/n静电透镜,与作为描绘对象的基板的表面高度相匹配地进行带电粒子束的焦点修正,/n上述静电透镜配置在上述物镜内,向该静电透镜的电极施加正电压,该电极上端的该物镜的磁场强度为规定值以下。/n
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