[发明专利]清洗方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质

摘要

本发明公开了一种清洗方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及存储介质。其技术问题在于，提高对衬底供给处理气体的供给部内的清洗处理的品质。为此，提供一种清洗方法，通过将包含(a)工序和(b)工序的循环进行规定次数来对供给部内进行清洗，上述(a)工序是在从供给部对衬底供给处理气体而对衬底进行了处理后，从供给部向处理完衬底后的处理容器内供给清洗气体及与清洗气体反应的添加气体中的某一方气体的工序；上述(b)工序是在停止一方气体的供给后，在一方气体的一部分残留在供给部内的状态下，从供给部向处理容器内供给清洗气体及添加气体中的与一方气体不同的另一方气体的工序。

主权项

1.一种清洗方法，其特征在于，/n具有通过将包括(a)工序和(b)工序的循环进行规定次数来对供给部内进行清洗的工序，其中，/n所述(a)工序是在从所述供给部对衬底供给处理气体而对所述衬底进行处理后，从所述供给部向处理完衬底后的处理容器内供给清洗气体及与所述清洗气体反应的添加气体中的某一方气体的工序；/n所述(b)工序是在停止所述一方气体的供给后，在所述一方气体的一部分残留在所述供给部内的状态下，从所述供给部向所述处理容器内供给所述清洗气体及所述添加气体中的与所述一方气体不同的另一方气体的工序。/n