[发明专利]半导体芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201910481256.1 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875271A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李大硕;李学承;林东灿;金泰成;文光辰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体芯片及其制造方法。半导体芯片包含：衬底；层间绝缘层，包含位于衬底的上表面上的底部层间绝缘层和位于底部层间绝缘层上的顶部层间绝缘层；蚀刻终止层，位于底部层间绝缘层与顶部层间绝缘层之间；接地焊盘，位于层间绝缘层上；以及贯通孔，经由衬底、层间绝缘层以及蚀刻终止层连接到接地焊盘。蚀刻终止层经隔离以免与接地焊盘直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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