[发明专利]具有应力均衡器的CSOI MEMS压力感测元件有效

专利信息
申请号: 201910481284.3 申请日: 2019-06-04
公开(公告)号: CN110553764B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: J-H.A.邱;S-H.S.陈 申请(专利权)人: 纬湃科技美国有限责任公司
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;G01L19/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 隋晓平
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及压力感测元件,其包括支撑衬底,该支撑衬底包括腔。装置层结合到支撑衬底,其中装置层的隔膜以密封方式覆盖腔。多个压电电阻器联接到隔膜。多个金属应力均衡器安置在装置层上,使得每个应力均衡器大致邻近于对应的压电电阻器但与其分离。多个金属结合焊盘安置在装置层上。多个应力均衡器被构造和布置成减小由在压力感测元件的冷却和加热循环期间金属结合焊盘的应力松弛所导致的压力感测元件的热滞后。
搜索关键词: 具有 应力 均衡器 csoi mems 压力 元件
【主权项】:
1.一种压力感测元件,所述压力感测元件包括:/n支撑衬底,所述支撑衬底包括腔;/n装置层,所述装置层结合到所述支撑衬底,其中所述装置层的隔膜以密封方式覆盖所述腔;/n多个压电电阻器,所述多个压电电阻器联接到所述隔膜;/n多个金属应力均衡器,所述多个金属应力均衡器安置在所述装置层上,使得每个应力均衡器大致邻近于对应的压电电阻器但与对应的压电电阻器分离,以及/n多个金属结合焊盘,所述多个金属结合焊盘安置在所述装置层上,/n其中,所述多个应力均衡器被构造和布置成减小由在所述压力感测元件的冷却和加热循环期间所述金属结合焊盘的应力松弛所导致的所述压力感测元件的热滞后。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纬湃科技美国有限责任公司,未经纬湃科技美国有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910481284.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top