[发明专利]垂直GeSe/MoS2 p-n异质结构在审
| 申请号： | 201910481813.X | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110473904A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吉娜;程庆苏;渠开放;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 柏尚春<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直GeSe/MoS2p‑n异质结构，由GeSe层、MoS2层、四个金属电极、SiO2/Si衬底组成；所述的MoS2层位于衬底上，GeSe层与MoS2层垂直异质，GeSe层与MoS2层两端分别与金属电极接触；所述的异质结构利用GeSe中的自然p型掺杂和MoS2中的n型掺杂，创建了所述的新GeSe/MoS2pn异质结，GeSe和MoS2之间的II型能带对准以及这两种材料中的互补自然掺杂可以使垂直隧穿场效应管p‑n结突变和缩短屏蔽隧道长度，适用于低功耗应用；在室温下，GeSe/MoS2p‑n异质结的IV曲线类似于典型的p‑n二极管特性，正向偏压(>100nA)的电流呈指数增加，反向偏压(～1nA)的电流小，具有整流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 异质结构 异质结 衬底 垂直隧穿场效应管 垂直 低功耗应用 二极管特性 反向偏压 整流特性 正向偏压 指数增加 屏蔽 异质 突变 掺杂 对准 隧道 创建 | ||
【主权项】：
1.一种垂直GeSe/MoS2 p-n异质结构，其特征在于：由GeSe层(1)、MoS2层(2)、四个金属电极(3)、衬底(4)组成；所述的MoS2层(2)位于衬底上(4)，GeSe层(1)与MoS2层(2)垂直异质，GeSe层(1)与MoS2层(2)两端分别与金属电极(3)接触。/n
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