[发明专利]一种平面微小极距多极充磁方法有效
| 申请号： | 201910482026.7 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110189884B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 魏中华;何剑锋;吕婷茹 | 申请（专利权）人： | 浙江英洛华磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00 |
| 代理公司： | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 | 代理人： | 欧阳俊 |
| 地址： | 322118 浙江省金华市东阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种平面微小极距多极充磁方法，包括以下步骤：将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁。本发明的优点是：采用齿形导磁模具进行充磁，利用磁场传导的方式对部分区域进行反向充磁，获得相反磁极，形成多极充磁，并且不用在模具的齿上布置导线，从而可以极大的降低导磁模具齿形的宽度，可以适应磁极宽度小于2mm的磁面充磁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 微小 多极 充磁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面微小极距多极充磁方法，其特征在于：包括以下步骤：A、将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；B、在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；C、平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江英洛华磁业有限公司，未经浙江英洛华磁业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910482026.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电流互感器柔性软磁铁芯
- 下一篇：电感器
