[发明专利]一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片、太阳能电池及其制备方法和应用在审
申请号: | 201910483415.1 | 申请日: | 2019-06-04 |
公开(公告)号: | CN112038438A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 刘志强;袁中存;费正洪 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 224431 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种轻掺杂基片、带有选择性发射极的基片、太阳能电池及其制备方法和应用,所述轻掺杂基片包括依次连接的P型硅片层、N型硅层、第一磷硅玻璃层、氧化层以及第二磷硅玻璃层;本发明的轻掺杂基片在后续重掺杂过程中,一方面能够增加硅片表面掺杂源的掺杂均匀性,另一方面能够降低重掺杂区的方阻值,从而降低银硅接触电阻;轻掺杂基片的制备方法简单、易于实现、适用于工业大规模的生产应用;通过该轻掺杂基片制备的带有选择性发射极的基片中的重掺杂区磷含量较高,重掺杂区方阻较低且均匀,制备的太阳能电池具有较高的光转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 带有 选择性 发射极 太阳能电池 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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