[发明专利]一种智能芯片

摘要

本发明提供一种智能芯片，涉及集成电路技术领域，包括非易失性存储阵列和逻辑电路，逻辑电路部分或全部采用全耗尽绝缘体上硅工艺制作；非易失性存储阵列用于保存智能芯片的工作数据信息；逻辑电路用于根据智能芯片的应用需求对非易失性存储阵列进行访问操作；逻辑电路包括一自学习模块和多个功能模块；自学习模块分别连接各功能模块，用于对智能芯片的工作状态进行学习得到学习模型，并根据学习模型和智能芯片关联的应用需求生成相应的调控信号对对应的各功能模块中的晶体管的阈值电压进行调节。本发明根据智能芯片的应用需求动态调节智能芯片中各功能模块的晶体管的阈值电压，根据需要使得智能芯片运行在高性能工作模式或低功耗工作模式。

主权项

1.一种智能芯片，其特征在于，具体包括一非易失性存储阵列和一逻辑电路，所述逻辑电路部分或全部采用全耗尽绝缘体上硅工艺制作；所述非易失性存储阵列用于保存所述智能芯片的工作数据信息；所述逻辑电路用于根据所述智能芯片的应用需求对所述非易失性存储阵列进行访问操作；所述逻辑电路包括一自学习模块和多个功能模块；所述自学习模块分别连接各所述功能模块，用于对所述智能芯片的工作状态进行学习得到学习模型，并根据所述学习模型和所述智能芯片的所述应用需求生成相应的调控信号对对应的各所述功能模块应用的晶体管的阈值电压进行调节：当所述功能模块关联一第一类型应用需求，所述自学习模块生成相应的调控信号将对应的所述功能模块应用的所述晶体管的所述阈值电压降低，且所述阈值电压不高于所述学习模型中预先学习得到的一第一阈值；当所述功能模块关联一第二类型应用需求，所述自学习模块生成相应的调控信号将对应的所述功能模块应用的所述晶体管的所述阈值电压升高，且所述阈值电压不低于所述学习模型中预先学习得到的一第二阈值；所述第一类型应用需求中的性能需求高于所述第二类型应用需求中的性能需求；所述第二类型应用需求中的功耗需求低于所述第一类型应用需求中的功耗需求。