[发明专利]锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途

摘要

本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc的镓。本发明还涉及该锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。

主权项

1.一种锗单晶片，其中，锗单晶片中包含掺杂剂元素硅、硼和镓，硅原子浓度为3×10¹⁴atoms/cc至10×10¹⁸atoms/cc，硼原子浓度为1×10¹⁶atoms/cc至10×10¹⁸atoms/cc且镓原子浓度为1×10¹⁶atoms/cc至10×10¹⁹atoms/cc；优选地，硅原子浓度为4×10¹⁴atoms/cc至8×10¹⁸atoms/cc，硼原子浓度为2×10¹⁶atoms/cc至8×10¹⁸atoms/cc且镓原子浓度为2×10¹⁶atoms/cc至9×10¹⁹atoms/cc；更优选地，硅原子浓度为5×10¹⁴atoms/cc至7×10¹⁸atoms/cc，硼原子浓度为4×10¹⁶atoms/cc至7×10¹⁸atoms/cc且镓原子浓度为2×10¹⁶atoms/cc至8×10¹⁹atoms/cc。