[发明专利]基板支撑基座在审

申请号：	201910484041.5	申请日：	2019-06-04
公开（公告）号：	CN110556316A	公开（公告）日：	2019-12-10
发明（设计）人：	S·J·拉罗萨;S·普劳蒂	申请（专利权）人：	应用材料公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/683
代理公司：	31100 上海专利商标事务所有限公司	代理人：	侯颖媖;张鑫
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本文讨论的系统和方法与在处理腔室中使用以制造半导体、电子器件、光学器件和其它器件的基板支撑基座相关联。所述基板支撑基座包括静电吸盘主体，所述静电吸盘主体经由结合层结合到冷却基部。气流通道形成在所述静电吸盘主体的顶表面与所述冷却基部的底表面之间，并且多孔塞定位在所述气流通道中。所述气流通道穿过所述结合层中的孔和所述多孔塞，并且具有与所述结合层中的所述孔的内边缘物理屏蔽的扫掠容积，以保护所述结合层免受侵蚀。
搜索关键词：	结合层静电吸盘主体气流通道基板支撑多孔塞基部冷却处理腔室电子器件光学器件物理屏蔽顶表面内边缘扫掠半导体穿过关联侵蚀制造
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【主权项】：

1.一种基板支撑基座，包括：/n静电吸盘主体，所述静电吸盘主体经由结合层结合到冷却基部；/n多孔塞；以及/n气流通道，所述气流通道形成在所述静电吸盘主体的顶表面与所述冷却基部的底表面之间，所述气流通道穿过所述结合层中的孔和所述多孔塞，所述气流通道具有与所述结合层中的所述孔的内边缘物理地屏蔽的扫掠容积。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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