[发明专利]一种基于高空穴迁移率GaSb纳米线的高性能红外探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于高空穴迁移率GaSb纳米线的高性能红外探测器及其制备方法，采用双温区气相法、选择金属锡作为催化剂和轻掺杂源，实现了高空穴迁移率GaSb纳米线的可控生长，其场效应空穴迁移率超过1000cm2V‑1s‑1。采用微纳加工技术制备的高性能GaSb纳米线红外探测器件包括Si/SiO2衬底、单根GaSb纳米线及金属电极。器件具有优良的光电特性，对1550纳米的红外光展现了104安/瓦的高响应度，及143.4微秒和237.0微秒的超快响应时间，工艺可控性强，操作简单，成本低廉。

主权项

1.一种基于高空穴迁移率GaSb纳米线的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括p型硅作为底栅电极、Si/SiO₂衬底上的源极和漏极、源极和漏极之间由GaSb纳米线材料组成的沟道，所述的GaSb纳米线掺杂有锡。