[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910485262.4 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110783197B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 余德伟;赵晟博;邓运桢 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋洋;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体装置的制造方法及通过此方法形成的半导体装置。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含在从基底延伸出的鳍部上沉积虚设介电层；在虚设介电层上沉积虚设栅极晶种层；将虚设栅极晶种层回焊；蚀刻虚设栅极晶种层；以及在虚设栅极晶种层上方选择性地沉积虚设栅极材料，虚设栅极材料和虚设栅极晶种层构成虚设栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n在从一基底延伸出的一鳍部上沉积一虚设介电层；/n在该虚设介电层上沉积一虚设栅极晶种层；/n将该虚设栅极晶种层回焊；/n蚀刻该虚设栅极晶种层；以及/n在该虚设栅极晶种层上方选择性地沉积一虚设栅极材料，其中该虚设栅极材料和该虚设栅极晶种层构成一虚设栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
