[发明专利]一种可自触发自保护的超导薄膜开关在审

专利信息
申请号: 201910485414.0 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN110112283A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 梁乐;王豫;严仲明;何应达 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H01L39/16 分类号: H01L39/16;H01L39/02;H01L39/10
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人: 王沙沙
地址: 610031 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种可自触发自保护的超导薄膜开关,包括超导薄膜单元,超导薄膜单元包括基底层;还包括设置在基底层一侧的超导薄膜开关层,设置在基底层另一侧与超导薄膜开关层对称的触发层和与超导薄膜开关层串联的保护层;超导薄膜单元与超导磁体SM并联后连接到主回路;触发层连接到触发回路;还包括与超导薄膜单元并联的负载电阻RL;本发明集超导开关自触发自保护功能于一体,对开关进行有效的保护。
搜索关键词: 超导薄膜 基底层 开关层 自触发 触发层 自保护 并联 自保护功能 超导磁体 超导开关 触发回路 负载电阻 保护层 主回路 串联 对称
【主权项】:
1.一种可自触发自保护的超导薄膜开关,其特征在于,包括超导薄膜单元(1),超导薄膜单元(1)包括基底层(11);还包括设置在基底层(11)一侧的超导薄膜开关层,设置在基底层(11)另一侧与超导薄膜开关层对称的触发层和与超导薄膜开关层串联的保护层;超导薄膜单元(1)与超导磁体SM并联后连接到主回路;触发层连接到触发回路;还包括与超导薄膜单元(1)并联的负载电阻RL
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学,未经西南交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910485414.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top