[发明专利]N×M基于DRA的NMOSFET太赫兹阵列探测器和天线设计方法有效
| 申请号： | 201910486211.3 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110390127B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 马建国;周绍华 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39;G06F30/398 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 伍时礼 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种N×M基于DRA的NMOSFET太赫兹阵列探测器，N×M太赫兹探测器阵列与第一隔直电容一端相连，第一隔直电容另一端与第二偏置电阻一端相连，第二偏置电阻另一端与第二偏置电压相连，第二偏置电阻还与低噪声前置放大器的正极相连，第一电阻两端分别与低噪声前置放大器的负极以及输出极相连，第一电阻的一端还与第二电阻一端相连，第二电阻另一端与第二隔直电容一端相连，第二隔直电容另一端接地，第一电阻的另一端与第三隔直电容一端相连，第三隔直电容另一端接地，本发明还提出一种天线设计方法。相对现有技术，本发明技术方案有效地提高太赫兹探测器的成像分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 dra nmosfet 赫兹 阵列 探测器 天线 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种N×M基于DRA的NMOSFET太赫兹阵列探测器，其特征在于，包括N×M太赫兹探测器阵列，N×M太赫兹探测器阵列与第一隔直电容一端相连，第一隔直电容另一端与第二偏置电阻一端相连，第二偏置电阻另一端与第二偏置电压相连，第二偏置电阻还与低噪声前置放大器的正极相连，第一电阻两端分别与低噪声前置放大器的负极以及输出极相连，第一电阻的一端还与第二电阻一端相连，第二电阻另一端与第二隔直电容一端相连，第二隔直电容另一端接地，第一电阻的另一端与第三隔直电容一端相连，第三隔直电容另一端接地。
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