[发明专利]一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法有效
申请号: | 201910486444.3 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN110164999B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 俞金玲;王雨濛;赵宜升;程树英;赖云锋;郑巧 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 钱莉;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市闽*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法,具体通过改变激发光的波长从近红外到远红外波段,实现对硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的调控。这是因为在硒化铋薄膜,同时存在表面态和二维电子气,它们产生的圆偏振光电流的方向是相反的。当激发光为近红外波段的光时,表面态和二维电子气都会对圆偏振光致电流产生贡献,而且它们的方向相反,会互相抵消。当激发光为远红外波段的光,且该激发光的能量小于薄膜中Rashba自旋分裂能时,这时的圆偏振光致电流主要来自表面态,二维电子气态的贡献很小。从而,相比于近红外光激发的情况,此时的圆偏振光致电流有显著提升。本发明调控效果显著,简单易行,成本低廉,有利于日后推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 调控 硒化铋 薄膜 偏振光 致电 方法 | ||
【主权项】:
1.一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法,其特征在于,通过改变激发光的波长从近红外到远红外波段,实现对硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的调控。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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