[发明专利]一种用于势垒前的氢氟酸雾清洗工艺

摘要

一种用于势垒前的氢氟酸雾清洗工艺。涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种用于势垒前的氢氟酸雾清洗工艺。提供了一种通过控制氢氟酸雾的量，保证腐蚀稳定，提高产品质量的用于势垒前的氢氟酸雾清洗工艺。本发明在工作中，通过对FSI清洗机改造后增加氢氟酸雾可以有效地去除表面的水渍残留和氧化层；同时氢氟酸雾的量需要控制，太少无法保证表面残留能去除干净，过多会导致晶圆外观缺陷；在保证腐蚀量的同时，还需要避免氢氟酸雾不能长时间的吹扫晶圆表面，故增加冷甩时间，降低通氢氟酸雾时的腔体温度，减少氢氟酸雾的扩散，稳定腐蚀量。本发明便于控制腐蚀量，保证了产品表面质量。

主权项

1.一种用于势垒前的氢氟酸雾清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)将晶圆放入FSI清洗机的腔体内；2)清洗，腔体上的管道一依次通入浓H₂SO₄和H₂O₂对晶圆表面进行清洗；3)甩干，腔体上的管道二连通盛放有氢氟酸的雾化器，雾化器连通氮气，将氢氟酸进行加压雾化形成氢氟酸雾，对晶圆表面进行甩干；其中，腔体内的温度为28‑30℃，氮气的流量为3‑4slpm，时间为450‑500s；4)完成、取出。