[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器

摘要

本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器，其中，多晶硅薄膜的制造方法包括：提供基材，基材包括基片和与基片层叠设置的多晶硅基膜；在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种制得多晶硅薄膜半成品；对多晶硅薄膜半成品进行热激活后退火制得多晶硅薄膜。本发明提供的多晶硅薄膜的制造方法通过在多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种，并对多晶硅薄膜半成品进行热激活，制得的多晶硅薄膜的晶粒的生长和均匀性好，可以有效降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，同时由该方法制得的多晶硅薄膜具有较优的机械强度，适用于机械强度要求较高的场合，且吹气实验的成活率较高。

主权项

1.一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基材，所述基材包括基片和与所述基片层叠设置的多晶硅基膜；在所述多晶硅基膜中非原位掺杂硼元素、磷元素和砷元素中的一种制得多晶硅薄膜半成品；对所述多晶硅薄膜半成品进行热激活后冷却制得所述多晶硅薄膜。