[发明专利]基于P-GaN帽层和浮空金属环的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件有效
| 申请号： | 201910487615.4 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110364574B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王冲;刘凯;马晓华;郑雪峰;何云龙;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L29/205;H01L29/20;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于P‑GaN帽层和浮空金属环复合结构的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件，包括衬底、依次设置在衬底上的GaN缓冲层和沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，其中，AlGaN势垒层上表面的相对两侧分别设置有阳极和阴极，阳极与阴极之间的AlGaN势垒层上设置有至少一个组合结构，组合结构包括第一P型GaN帽层、第二P型GaN帽层和浮空金属环；第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层间隔设置在AlGaN势垒层上，浮空金属环覆盖在第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层的上表面以及第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层之间的AlGaN势垒层上。该器件采用P‑GaN帽层与浮空金属环结合的结构，抑制电场集中效应，减弱了峰值电场，使得电场横向分布更加均匀，从而反向提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 金属环 algan 异质结肖特基 二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于P‑GaN帽层和浮空金属环的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件，其特征在于，包括衬底(101)、依次设置在所述衬底(101)上的GaN缓冲层(102)和沟道层(103)、AlGaN势垒层(104)和钝化层(110)，其中，所述AlGaN势垒层(104)上表面的相对两侧分别设置有阳极(105)和阴极(106)，所述阳极(105)与所述阴极(106)之间的所述AlGaN势垒层(104)上设置有至少一个组合结构，所述组合结构包括第一P型GaN帽层(107)、第二P型GaN帽层(108)和浮空金属环(109)；所述第一P型GaN帽层(107)和第二P型GaN帽层(108)间隔设置在所述AlGaN势垒层(104)上，所述浮空金属环(109)覆盖在所述第一P型GaN帽层(107)和第二P型GaN帽层(108)的上表面以及所述第一P型GaN帽层(107)和第二P型GaN帽层(108)之间的所述AlGaN势垒层(104)上；所述AlGaN势垒层(104)的未被所述组合结构覆盖的剩余部分以及所述浮空金属环(109)的上表面均由所述钝化层(110)覆盖。
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