[发明专利]有机发光二极管显示面板及电子设备在审
申请号: | 201910489369.6 | 申请日: | 2019-06-06 |
公开(公告)号: | CN110265439A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 彭斯敏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种有机发光二极管显示面板及电子设备,通过使特定角度入射至填充部与至少一膜层之间交界面处的光发生全反射以减少入射至围合成通孔内壁的膜层中的光,以使得经全反射到达衬底且穿过衬底而为光学感应器接收的光量增加。 | ||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示面板 电子设备 全反射 衬底 膜层 入射 光学感应器 光量增加 通孔内壁 交界面 围合成 填充 穿过 申请 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板包括:衬底,所述衬底具有相对的第一表面和第二表面;薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层形成于所述衬底的所述第一表面上;有机发光二极管阵列层,所述有机发光二极管阵列层形成于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底的一侧;封装层,所述封装层形成于所述有机发光二极管阵列层远离所述衬底的一侧;通孔,所述通孔沿所述衬底指向所述封装层的方向贯穿所述薄膜晶体管阵列层、所述有机发光二极管阵列层以及所述封装层;填充部,所述填充部填充于整个所述通孔中;其中,所述填充部的折射率大于所述薄膜晶体管阵列层中至少一膜层的折射率,和/或,所述填充部的折射率大于所述有机发光二极管阵列层中至少一膜层的折射率,和/或,所述填充部的折射率大于所述封装层中至少一膜层的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的