[发明专利]功率半导体器件安全工作区精确测量方法有效
| 申请号： | 201910489548.X | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110221190B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 谢雪松;刘晟豪;张小玲;朱文举 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 功率半导体器件安全工作区精确测量方法涉及半导体器件安全工作区的测量。本发明通过一定的控制方法，使器件在不同的热、电条件下处于稳定状态，利用激光诱导的方式引入热斑，通过观察激光撤掉后的电学参数变化，找到临界点，在热斑即将产生时刻保护被测器件不至于毁损，并记录此时刻的电流、电压、温度数据，此即为安全工作区曲线上的一点，通过改变外部条件，可以逐点描绘出器件产生“热斑”的条件轨迹，此曲线即为安全工作区曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 安全 工作 精确 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件安全工作区测量方法，其特征在于：使器件在不同的热、电条件下处于热平衡状态，利用激光诱导的方式引入热斑，通过观察激光撤掉后的电学参数变化，找到临界点，在热斑即将产生关键时刻保护被测器件不至于毁损，并记录此时刻的电流、电压和温度数据，此即为安全工作区曲线上的一点，通过改变外部条件，逐点描绘出器件产生“热斑”的条件轨迹，此曲线即为安全工作区曲线。
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