[发明专利]具有栅极绝缘层的半导体器件在审
| 申请号： | 201910489932.X | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110931552A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 南奇亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了具有栅极绝缘层的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极沟槽；上栅极绝缘层，在栅极沟槽的上部区域的内表面上；下栅极绝缘层，在栅极沟槽的下部区域的内表面和下表面上并且连接到上栅极绝缘层；第一栅极阻挡层，在下栅极绝缘层的内侧上；栅电极，在第一栅极阻挡层的内侧上并配置为填充栅极沟槽的下部区域；以及栅极掩埋部分，在栅电极上。下栅极绝缘层的上端的内周边的直径大于上栅极绝缘层的下端的内周边的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 绝缘 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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