[发明专利]形成隔离结构和半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910490869.1 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110164815A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 孙超;田武;江宁 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成隔离结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括衬底，衬底上定义了隔离区；在隔离区上形成沟槽；向沟槽施加包含掺杂质的流体；使半导体结构进行热退火；以及在沟槽内填充绝缘材料。本发明的方法可以改善MOS管的窄沟道效应以及增强有源区之间的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 隔离结构 隔离区 衬底 填充绝缘材料 半导体器件 窄沟道效应 隔离效果 掺杂质 热退火 流体 源区 施加 | ||
【主权项】：
1.一种形成隔离结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底，所述衬底上定义了隔离区；在所述隔离区上形成沟槽；向所述沟槽施加包含掺杂质的流体；使半导体结构进行热退火；以及在所述沟槽内填充绝缘材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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