[发明专利]一种基于复合散热阳极的GaN平面耿氏二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201910491144.4 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110350084B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 汪瑛;李萌;敖金平;周德云;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L47/02 | 分类号： | H01L47/02;H01L47/00;H01L23/367;H01L23/373;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于复合散热阳极的GaN平面耿氏二极管及制备方法，该平面耿氏二极管包括：AlGaN背势垒层；GaN沟道层，位于所述AlGaN背势垒层上；AlGaN势垒层，位于所述GaN沟道层上；欧姆接触阳极和欧姆接触阴极，分别位于所述AlGaN背势垒层、所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层的两端；以及肖特基延伸层，位于所述AlGaN势垒层上且覆盖所述欧姆接触阳极。该平面耿氏二极管肖特基延伸层在平面耿氏二极管的沟道中形成一个耗尽层，削弱了高能偶极畴的强度，从而分散了电子畴的能量，降低了平面耿氏二极管的阳极端的碰撞电离，缓冲了热发生，进而有效抑制了器件的自热效应，提高了器件的负阻效应、功率和频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 散热 阳极 gan 平面 耿氏二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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