[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201910491396.7 | 申请日: | 2019-06-06 |
公开(公告)号: | CN110176480B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 谢宗錞 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/00 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构,包括第一电极、第二电极设置于第一电极的一侧以及像素定义层设置于第一电极及第二电极上。像素定义层具有第一开口及第二开口,且于垂直第一电极的法线方向上,第一开口与第二开口分别对应重叠第一电极与第二电极。第一开口具有第一区及第二区,且第一区的最大开口宽度小于第二区的最大开口宽度。第二开口具有第三区及第四区,且第三区的最大开口宽度小于第四区的最大开口宽度。像素定义层具有第一挡墙及第二挡墙。第一挡墙隔开第一开口的第一区与第二开口的第三区。第二挡墙隔开第一开口的第二区与第二开口的第四区。第一挡墙的最大宽度大于第二挡墙的最大宽度。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括:一第一电极;一第二电极,设置于该第一电极的一侧;以及一像素定义层设置于该第一电极及该第二电极上,该像素定义层具有一第一开口及一第二开口,且于垂直该第一电极的一法线方向上,该第一开口与该第二开口分别对应重叠该第一电极与该第二电极,其中该第一开口具有一第一区及一第二区,且该第一区的最大开口宽度小于该第二区的最大开口宽度,其中该第二开口具有一第三区及一第四区,且该第三区的最大开口宽度小于该第四区的最大开口宽度,其中该像素定义层具有一第一挡墙及一第二挡墙,该第一挡墙隔开该第一开口之该第一区与该第二开口的该第三区,该第二挡墙隔开该第一开口的该第二区与该第二开口的该第四区,其中该第一挡墙的最大宽度大于该第二挡墙的最大宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的