[发明专利]基于口面电场分布的环焦椭圆波束反射面天线设计方法有效

专利信息
申请号: 201910491495.5 申请日: 2019-06-06
公开(公告)号: CN110197039B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 何山红;解良玉;纪萌茜 申请(专利权)人: 安徽工业大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;H01Q19/19
代理公司: 安徽顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 代理人: 周发军
地址: 243002 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了天线技术领域的基于口面电场分布的环焦椭圆波束反射面天线设计方法,包括如下步骤:在长轴平面引入口面电场,求解长轴平面的主、副反射面曲线;在短轴平面引入口面电场,基于传播路径相等的条件,求解短轴平面的主、副反射面曲线;利用长、短轴平面的副反射面曲线,结合过渡函数设计出整个副反射面;根据反射定律和等光程条件,由副反射面确定出主反射面;判断反射面性能是否达到要求并进行优化,在常规环焦椭圆波束反射面天线设计方法中引入口面电场,利用口面电场和过渡函数联合优化,增加了可供选择的优化参数,提高了设计的自由度,解决了由于可供选择的过渡函数数目有限,导致反射面性能无法达到最佳的问题。
搜索关键词: 基于 电场 分布 椭圆 波束 反射 天线 设计 方法
【主权项】:
1.基于口面电场分布的环焦椭圆波束反射面天线设计方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:长轴平面的馈源功率辐射方向图已知时,选择长轴平面的主反射面的口面电场分布和基本几何参数,根据能量守恒、等路程条件以及Snell定律求解出长轴平面的主、副反射面截面曲线;S2:根据短轴平面的馈源功率辐射方向图,选择短轴平面的主反射面口面电场分布,基于长轴平面和短轴平面路程相等的条件,结合能量守恒和Snell定律设计短轴平面的主、副反射面截面曲线;S3:在得到长轴平面和短轴平面的副反射面截面曲线后,利用副反射面矢径过渡函数和边缘照射角过渡函数计算出整个副反射面曲线;S4:根据反射定律和等光程条件,由副反射面曲线确定出主反射面曲线;S5:判断反射面增益和副瓣电平等指标是否达到要求,若是则结束;否则重复步骤S1至S4。
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