[发明专利]一种基于交叉狭缝波导的电控去偏器

摘要

本发明公开了一种基于交叉狭缝波导的电控去偏器。本发明包括水平狭缝波导、45度偏振旋转波导、调制电极、交叉狭缝波导；宽谱TM偏振光从水平狭缝波导一端输入，经45度偏振旋转波导转换为宽谱TE偏振光和宽谱TM偏振光后进入交叉狭缝波导的输入端，宽谱TE偏振光在交叉狭缝波导的竖直狭缝中传输，宽谱TM偏振光在交叉狭缝波导的水平狭缝中传输，宽谱TE偏振光和宽谱TM偏振光在交叉狭缝波导输出端形成去偏光。本发明的调制电极通过电控实现精密调节45度偏振旋转波导的旋转角度，使交叉狭缝波导输出端的TE偏振光和TM偏振光能量相等；克服了由偏振旋转波导损耗、TE和TM波导传输损耗造成的分光不均。

主权项

1.一种基于交叉狭缝波导的电控去偏器，其特征在于：包括水平狭缝波导(1)、45度偏振旋转波导(2)、交叉狭缝波导(3)和调制电极(4)，水平狭缝波导(1)的输出端经45度偏振旋转波导(2)连接至交叉狭缝波导(3)输入端，调制电极(4)位于45度偏振旋转波导(2)的两侧；水平狭缝波导(1)、45度偏振旋转波导(2)和交叉狭缝波导(3)沿光路方向集成于硅衬底和第一二氧化硅缓冲层(6)形成的基底层上表面，第一二氧化硅缓冲层(6)位于硅衬底(5)上表面；水平狭缝波导(1)、45度偏振旋转波导(2)和交叉狭缝波导(3)由下至上主要由第一铌酸锂单晶薄膜层(7)、第二二氧化硅缓冲层(8)和第二铌酸锂单晶薄膜层(9)组成；45度偏振旋转波导(2)和交叉狭缝波导(3)中间均设有上下贯穿第一铌酸锂单晶薄膜层(7)、第二二氧化硅缓冲层(8)和第二铌酸锂单晶薄膜层(9)三层结构的竖直狭缝，竖直狭缝由空气填充；45度偏振旋转波导(2)的竖直狭缝由45度偏振旋转波导(2)输入端的侧边缘延伸至输出端的中间位置；交叉狭缝波导(3)的竖直狭缝由交叉狭缝波导(3)的输入端中间位置延伸至输出端的中间位置。