[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201910492500.4 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN112054052B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吴星星 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层远离衬底一侧的介质层；位于所述半导体层远离衬底一侧的源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述栅极和漏极之间的场板凹槽；位于所述介质层远离衬底一侧的场板，所述场板包含覆盖于所述场板凹槽内的第一部分，以及位于场板凹槽外且位于场板凹槽和漏极之间的第二部分。本申请通过对场板第二部分的设置，实现有效进行电场调制的同时满足高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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