[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件有效
| 申请号： | 201910492728.3 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN112053947B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 施维;胡友存;汤霞梅;熊鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/027;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：在第一区上形成第一槽和位于第一槽内的第一牺牲层，在第二区和周围区上形成初始第二牺牲层，且第一槽位于第一牺牲层沿第二方向的两侧；在第一牺牲层侧壁表面和初始第二牺牲层侧壁表面、以及硬掩膜层侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙之后，去除第一牺牲层，在第一槽内形成开口，开口暴露出初始第二牺牲层侧壁表面和第一侧墙侧壁表面；在开口侧壁表面形成第二侧墙，第二侧墙覆盖第一侧墙侧壁表面和第二牺牲层侧壁表面，且第二侧墙的材料和硬掩膜层的材料不同；去除第二牺牲层，在待刻蚀层的第二区表面形成第二槽，且第二槽位于分割段沿第二方向的两侧。所述图形化方法的可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 方法 及其 形成 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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