[发明专利]一种岩青兰种子温室育苗种植方法有效

专利信息
申请号: 201910494042.8 申请日: 2019-06-08
公开(公告)号: CN110122206B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 周金川;栾仪婷;赵玉涵;孔菲;孙守毅;卢璐;刘靓奇;陈虹霏;马士超;商成龙;徐婉晴;刘金玉 申请(专利权)人: 临沂大学
主分类号: A01G22/00 分类号: A01G22/00;A01G13/00;A01C21/00;A01G24/12
代理公司: 济南知来知识产权代理事务所(普通合伙) 37276 代理人: 曹丽
地址: 276000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种岩青兰种子温室育苗种植方法,包括以下步骤:2月底3月初进行室内育苗,以40‑70目河沙、壤土作为培养土,将岩青兰种子均匀撒播在培养土床面,雾化喷洒至浸透整个培养土层,然后用10‑20目的河砂薄层覆盖,实时控制室温15‑20℃,湿度65%‑75%;3月底到4月上旬移栽,5‑8月田间管理;夏初采收叶片,秋季采收种子。本发明的岩青兰种子温室育苗种植方法实现了岩青兰的种子繁殖,室内育苗的实施提高了种子的萌发率,种苗的移栽加速了岩青兰的生长速率;后期的管理使得岩青兰的叶片产量及结籽的数量大大提高,增加了经济效益;通过该方式种植岩青兰,节约了管理成本,提高了岩青兰自身的抗病虫害能力及有效成分的含量。
搜索关键词: 一种 岩青兰 种子 温室 育苗 种植 方法
【主权项】:
1.一种岩青兰种子温室育苗种植方法,其特征是:包括以下步骤:(1)2月底3月初进行室内育苗,以40‑70目河沙、壤土作为培养土,将岩青兰种子均匀撒播在培养土床面,雾化喷洒至浸透整个培养土层,然后用10‑20目的河砂薄层覆盖,实时控制室温15‑20℃,湿度65%‑75%;(2)3月底到4月上旬,岩青兰种子从萌发出土到生长到株高为5‑10cm时进行移栽,移栽到打垄的垄面中间的土穴中,穴间距30‑45cm,土穴深10‑15厘米,穴口直径8‑12厘米,将移栽种苗的根部垂直定植于土穴中后,紧致覆土,先穴中浇水至浸透土层,待根系固定,对垄间进行漫灌,5天后垄上薄施0.5厘米厚的草木灰,后浸灌垄面,1天后覆土垄面中间植株茎基部及修整垄畦;(3)5‑8月是岩青兰地上部分快速生长时期,根据土下壤土湿度及时灌水,开花期和结果期进行病虫害的防控;(4)夏初采收叶片,秋季采收种子。
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