[发明专利]基于二硫化铼/二硒化钨异质结的光电器件及制备方法

摘要

本发明公开一种基于二硫化铼/二硒化钨(ReS2/WSe2)异质结的光电器件及制备方法，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、单层ReS2和WSe2构成的异质结、漏极和源极；所述的源极、漏极、单层ReS2和WSe2均位于二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上，其中Si为栅极。本发明还公开了一种简易地制备上述光电器件的方法。该光电探测器件实现了宽的势垒区和抑制了ReS2中的缺陷态对探测器的影响，提高了探测器的响应时间。

主权项

1.基于二硫化铼/二硒化钨异质结的光电器件，其特征在于，至少包括：硅衬底层；设置于所述硅衬底层上的绝缘层；设置于所述绝缘层上的二硫化铼层和二硒化钨层，所述二硫化铼层为1层单晶层，所述二硒化钨层为1层单晶层；所述二硫化铼层的一端与所述二硒化钨层的一端范德瓦尔斯接触，形成二硫化铼/二硒化钨异质结；所述二硫化铼层的另一端和所述二硒化钨层的另一端分别设置电极层。