[发明专利]激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件有效
| 申请号： | 201910496207.5 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110232939B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王开友;刘雄华;盛宇;曹易 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转，可有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加热 控制 随机 存储 单元 存储器 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
1.一种激光加热控制磁随机的存储单元，其特征在于，包括：衬底(10)；自旋轨道耦合层(1)，其形成在所述衬底上，通过在所述自旋轨道耦合层(1)施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层(1)表面方向的自旋流；位于自旋轨道耦合层(1)之上的磁性自由层(2)，激光对所述磁性自由层(2)照射加热产生所述磁性自由层(2)磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层(2)的磁矩发生定向翻转；保护层(7)，位于所述磁性自由层(2)之上，用于保护所述磁性自由层(2)不被氧化。
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