[发明专利]一种键合丝打线后焊点的保护方法在审
| 申请号： | 201910496262.4 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110164785A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;崔成强;周章桥;张昱;杨冠南 | 申请（专利权）人： | 广东禾木科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 杭州聚邦知识产权代理有限公司 33269 | 代理人： | 周育东 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体芯片封装技术领域，具体是一种键合丝打线后焊点的保护方法，包括以下步骤：步骤一：在焊线瓷嘴周围设置喷嘴，所述喷嘴与瓷嘴同时进行运动控制或独立设置运动机构进行控制；步骤二：烧球之后键合第一焊点，待瓷嘴升起，喷嘴开始向第一焊点喷射含有保护材料的流体，所述喷嘴开始工作时间滞后于瓷嘴键合时间；步骤三：瓷嘴键合第二焊点，待瓷嘴升起，喷嘴开始朝第二焊点喷射含有保护材料的流体，完成保护。该键合丝打线后焊点的保护方法通过形成一层保护层均匀包裹在第一焊点和第二焊点的表面，隔绝焊点与外部氛围，腐蚀性气体或液体无法与焊点接触进行腐蚀，以达到对第一焊点和第二焊点的有效保护。 | ||
| 搜索关键词： | 焊点 喷嘴 瓷嘴 键合丝 打线 键合 保护材料 流体 喷射 半导体芯片封装 腐蚀性气体 独立设置 焊线瓷嘴 均匀包裹 时间滞后 运动机构 运动控制 保护层 烧球 腐蚀 外部 | ||
【主权项】：
1.一种键合丝打线后焊点的保护方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在焊线瓷嘴（4）周围设置喷嘴（1），所述喷嘴（1）与瓷嘴（4）同时进行运动控制或独立设置运动机构进行控制；步骤二：烧球之后键合第一焊点（2），待瓷嘴（4）升起，喷嘴（1）开始向第一焊点（2）喷射含有保护材料的流体（3），所述喷嘴（1）开始工作时间滞后于瓷嘴（4）键合时间；步骤三：瓷嘴（4）键合第二焊点（6），待瓷嘴（4）升起，喷嘴（1）开始朝第二焊点（6）喷射含有保护材料的流体（3），完成保护。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东禾木科技有限公司，未经广东禾木科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910496262.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
