[发明专利]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器在审
申请号: | 201910496288.9 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110246959A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 | 申请(专利权)人: | 深圳市思品科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/02 | 分类号: | H01L43/02;H01L43/08 |
代理公司: | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人: | 周小年 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器,包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层;所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘,在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层,在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层;在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本发明提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子,振荡频率可达到几十GHz。 | ||
搜索关键词: | 反铁磁 隧穿绝缘层 纳米盘 斯格 微波振荡器 固定层 金属层 自由层 承载 输出振荡信号 垂直穿过 极化电流 振荡频率 振荡器 极化 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器,包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层(7)、设置在固定层(7)下面的隧穿绝缘层(5)和设置在隧穿绝缘层(5)下面的自由层;其特征在于:所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘(4),在所述的反铁磁纳米盘(4)露出隧穿绝缘层(5)的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层(6),在所述的第二隧穿绝缘层(6)上覆盖有金属层(8);在金属层(8)与反铁磁纳米盘(4)之间引出微波振荡器的输出振荡信号。
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