[发明专利]一种适用于微芯片巨量转移拾取头的生产方法有效
申请号: | 201910496595.7 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110504192B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 朱干军;徐竞;张家尧;陈雄群 | 申请(专利权)人: | 义乌臻格科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/66;G01R1/04 |
代理公司: | 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) 34125 | 代理人: | 叶洋军 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种适用于微芯片巨量转移拾取头的生产方法。该方法包括以下步骤:步骤一,利用陶瓷烧结技术,一次性烧结出柱状拾取头,拾取头的上端面上同时向下加工成型有M×N条气道;步骤二,在每条气道的下端与拾取头的下端面之间都连接有微气道;步骤三,准备一个密封壳;步骤四,在密封壳上打孔,然后装配上与密封壳内部空腔连通的通气阀和吸气阀;步骤五,将密封壳与拾取头上端密封对接,且保证各个阀体正对各气道的上开口。本发明采用单次巨量转移的机制,大大的提高芯片转移效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 芯片 巨量 转移 拾取 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种适用于微芯片巨量转移拾取头的生产方法,其特征在于采用以下步骤:步骤一,柱状拾取头(1)的加工,拾取头(1)的上端面上向下加工成型有M×N条相互独立且孔径在100~1000微米的气道(2),各气道(2)为盲孔设置;步骤二,在每条气道(2)的下端与拾取头(1)的下端面之间都连接有口径>2微米的微气道(3),该微气道(3)可以采用激光打孔技术直接在拾取头(1)的下端面加工,或者采用蚀刻工艺,该工艺还需要先在拾取头(1)的下端面上先加工出一个定位沉台(13),该定位沉台(13)与各气道(2)下端导通,然后在定位沉台(13)内装配一片与其外形匹配的硅片(12),硅片(12)上通过蚀刻工艺开设有微气道(3),各微气道(3)分别与各气道(2)的下端导通,所述的微气道(3)呈矩阵分布,各相邻微气道(3)的间距至少为2×D,D为待转移器件的相邻间距;步骤三,准备一个能与拾取头(1)的上端面相互盖合使两者之间形成密封的空腔的密封壳(4);步骤四,在密封壳(4)上打孔,然后装配上与密封壳(4)内部空腔连通的通气阀(5)和吸气阀(6);步骤五,将密封壳(4)与拾取头(1)上端密封对接。/n
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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