[发明专利]一种适用于微芯片巨量转移拾取头的生产方法有效

专利信息
申请号: 201910496595.7 申请日: 2019-06-10
公开(公告)号: CN110504192B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 朱干军;徐竞;张家尧;陈雄群 申请(专利权)人: 义乌臻格科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/66;G01R1/04
代理公司: 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) 34125 代理人: 叶洋军
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种适用于微芯片巨量转移拾取头的生产方法。该方法包括以下步骤:步骤一,利用陶瓷烧结技术,一次性烧结出柱状拾取头,拾取头的上端面上同时向下加工成型有M×N条气道;步骤二,在每条气道的下端与拾取头的下端面之间都连接有微气道;步骤三,准备一个密封壳;步骤四,在密封壳上打孔,然后装配上与密封壳内部空腔连通的通气阀和吸气阀;步骤五,将密封壳与拾取头上端密封对接,且保证各个阀体正对各气道的上开口。本发明采用单次巨量转移的机制,大大的提高芯片转移效率。
搜索关键词: 一种 适用于 芯片 巨量 转移 拾取 生产 方法
【主权项】:
1.一种适用于微芯片巨量转移拾取头的生产方法,其特征在于采用以下步骤:步骤一,柱状拾取头(1)的加工,拾取头(1)的上端面上向下加工成型有M×N条相互独立且孔径在100~1000微米的气道(2),各气道(2)为盲孔设置;步骤二,在每条气道(2)的下端与拾取头(1)的下端面之间都连接有口径>2微米的微气道(3),该微气道(3)可以采用激光打孔技术直接在拾取头(1)的下端面加工,或者采用蚀刻工艺,该工艺还需要先在拾取头(1)的下端面上先加工出一个定位沉台(13),该定位沉台(13)与各气道(2)下端导通,然后在定位沉台(13)内装配一片与其外形匹配的硅片(12),硅片(12)上通过蚀刻工艺开设有微气道(3),各微气道(3)分别与各气道(2)的下端导通,所述的微气道(3)呈矩阵分布,各相邻微气道(3)的间距至少为2×D,D为待转移器件的相邻间距;步骤三,准备一个能与拾取头(1)的上端面相互盖合使两者之间形成密封的空腔的密封壳(4);步骤四,在密封壳(4)上打孔,然后装配上与密封壳(4)内部空腔连通的通气阀(5)和吸气阀(6);步骤五,将密封壳(4)与拾取头(1)上端密封对接。/n
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