[发明专利]复用DLTS和HSCV测量系统在审
| 申请号： | 201910497059.9 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110581081A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·杰弗里·贝利 | 申请（专利权）人： | 米亚索莱高科公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龚伟;李鹤松 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了能够进行复用DLTS和HSCV测量的技术和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 复用 测量 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：/n第一输入，所述第一输入被配置为通过接口连接到半导体器件；/n第一输出，所述第一输出被配置为通过接口连接到半导体器件；/n第一电路，所述第一电路被配置为在所述第一输出处生成一组波形循环，每个循环具有：/n具有第一信号的第一时间部分，所述第一信号被配置为利用自由载流子填充所述半导体器件中的一组电荷俘获缺陷；/n具有第二信号的第二时间部分，所述第二信号被配置为基于时间常数使得自由载流子的子集从该组电荷俘获缺陷退出；/n与少于整组波形循环对应的循环的第一子集还具有：/n所述第二时间部分期间的第三信号和第四信号，所述第三信号和所述第四信号被配置为使得填充该组电荷俘获缺陷和/或从该组电荷俘获缺陷退出的对应数量的自由载流子处于约束中，所述第三信号早于所述第二信号发生，所述第四信号晚于所述第二信号发生；以及/n第二电路，所述第二电路被配置为部分地基于所述第三信号在所述第一输入处测量第一组电容特性，并且部分地基于所述第四信号在所述第一输入处测量第二组电容特性，以确定在所述第二时间部分期间的不同时间半导体器件中的电荷深度分布的变化。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
