[发明专利]用于表面平坦化的方法和设备有效
申请号: | 201910497180.1 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110581088B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | P.布伦戴奇;Z.克拉森;C.鲁 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张一舟;傅永霄 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于表面平坦化的方法和设备。本文公开了用于将表面平坦化的技术。一个实例包括将样品的表面定向到带电粒子束轴,所述样品包括由第一和第二材料形成的第一层,所述第一材料图案化成多条平行线并且置于所述第二材料中,其中所述表面定向为与所述带电粒子束轴形成浅角,并将所述多条平行线垂直于所述带电粒子束轴排列;向所述表面提供带电粒子束;向所述表面提供气体;并用离子诱导的化学蚀刻选择性地向下蚀刻所述第二材料至少达到所述第一材料的顶面,由于所述带电粒子束和所述气体同时存在于所述样品表面上而刺激所述带电粒子诱导的蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 用于 表面 平坦 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种方法,其包括:/n将样品的表面定向到带电粒子束轴,所述样品包括第一层,所述第一层由第一材料和第二材料形成,所述第一材料不同于所述第二材料,图案化成多条平行线并置于所述第二材料中,其中所述第二材料的顶面形成所述表面,并且其中所述表面定向为与所述带电粒子束轴形成浅角,并将图案化成所述多条平行线的所述第一材料垂直于所述带电粒子束轴排列;/n沿带所述电粒子束轴向所述样品的表面提供带电粒子束;/n向所述样品的表面提供气体;并且/n通过离子诱导的化学蚀刻选择性地向下蚀刻所述第二材料至少达到所述第一材料的顶面,由于所述带电粒子束和所述气体同时存在于所述样品的表面上而刺激所述带电粒子诱导的蚀刻。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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