[发明专利]一种多孔硅-银纳米枝晶结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910497409.1 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110331427B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 葛道晗;魏金秀;李文兵;张立强;杨平;杨宁;张桢;苏兆亮 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C25D11/32 | 分类号： | C25D11/32;C25F3/12;B22F9/24;B22F1/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多孔硅‑银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅‑银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅‑银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多孔硅‑银纳米枝晶结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗样品：将方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅‑银纳米枝晶结构。
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