[发明专利]金属互连结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910497416.1 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110211923A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 叶国梁;谢岩;曾甜;王嘉绮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连结构及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上形成介质层与第一金属层，且介质层包围第一金属层，刻蚀介质层及其下方的部分第一金属层，以形成多个第一凹槽，且第一凹槽在第一金属层内的开口尺寸大于第一凹槽在介质层内靠近第一金属层处的开口尺寸，以及，形成第二金属层在第一凹槽内，扩大了第一凹槽在第一金属层内的开口尺寸，可以增加第二金属层与第一金属层的接触面积，从而减小第一金属层与第二金属层之间的接触电阻，提高第一金属层与第二金属层的接触性能，最终提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 第一金属层 第二金属层 介质层 金属互连结构 开口 衬底 半导体器件 刻蚀介质层 接触电阻 接触性能 减小 制作 包围 | ||
【主权项】：
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成介质层与第一金属层，且所述介质层包围所述第一金属层；刻蚀所述介质层及其下方的部分所述第一金属层，以形成多个第一凹槽，且所述第一凹槽在所述第一金属层内的开口尺寸大于所述第一凹槽在所述介质层内靠近所述第一金属层处的开口尺寸；以及，形成第二金属层在所述第一凹槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
