[发明专利]一种消除体效应与衬底泄露的双阱CMOS互补开关

摘要

本发明公开了一种能消除体效应与衬底泄露的双阱CMOS互补开关，所述开关包括4个P阱NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4和4个N阱PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4。MN1、MN2、MN3、MN4的栅极互连构成控制端SW；MP1、MP2、MP3、MP4的栅极互连构成反相控制端MN1、MN3与MP1、MP3的源极互连构成双向传输端I/O1；MN1、MN2与MP1、MP2的漏极互连构成双向传输端I/O2；MN3、MN4的漏极与MN1、MN2、MN3的体端以及MN2的源极相互连接；MP3、MP4的漏极与MP1、MP2、MP3的体端以及MP2的源极相互连接；MN4的源极、体端与地GND连接；MP4的源极、体端与电源VDD连接。开关导通时，可以消除开关的体效应，既降低了开关总的导通电阻又提高了线性度；开关断开时，可以消除开关的衬底泄露，提高了电路的可靠性与安全性。

主权项

1.一种消除体效应与衬底泄露的双阱CMOS互补开关，其特征在于所述双阱CMOS互补开关至少包括：4个P阱NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4和4个N阱PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4；P阱NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4的栅极相互连接构成控制端SW，N阱PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4的栅极相互连接构成反相控制端P阱NMOS管MN1、MN3与N阱PMOS管MP1、MP3的源极相互连接构成双向传输端I/O1；P阱NMOS管MN1、MN2与N阱PMOS管MP1、MP2的漏极相互连接构成双向传输端I/O2；P阱NMOS管MN3、MN4的漏极与P阱NMOS管MN1、MN2、MN3的体端以及MN2的源极相互连接；N阱PMOS管MP3、MP4的漏极与N阱PMOS管MP1、MP2、MP3的体端以及MP2的源极相互连接；P阱NMOS管MN4的源极、体端与地GND连接；N阱PMOS管MP4的源极、体端与电源VDD连接。