[发明专利]一种耐压亚阈值CMOS基准源电路有效
| 申请号： | 201910499414.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110096091B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 崔冰;徐灵炎;沈磊;赵凯;刘跃智;俞剑 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种耐压亚阈值CMOS基准源电路，包含启动电路，主体电路和升压电路，启动电路用于保证主体电路的正常开启，所述的主体电路用于产生基准电压vbg，升压电路用于将基准电压vbg升高到基准参考电压vref。通过在电源电压vdd和基准电压vbg之间增加多层晶体管，提高了亚阈值CMOS基准源的耐压性，同时提高了亚阈值CMOS基准源的精度及电源电压抑制比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 阈值 cmos 基准 电路 | ||
【主权项】：
1.一种耐压亚阈值CMOS基准源电路，其特征在于，包含：启动电路和主体电路，所述的启动电路用于保证主体电路的正常开启，所述的主体电路用于产生基准电压vbg；所述的启动电路包含第一偏置电路和二极管连接的第五MOS管M5；所述的主体电路包含：连接在基准电压vbg与接地端之间的亚阈值状态晶体管组合、连接在基准电压vbg与电源电压vdd之间的普通晶体管组合、以及至少一组叠加连接在基准电压vbg与电源电压vdd之间的高压晶体管组合，还包含二极管连接的第八MOS管M8。
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